TOPCon电池即隧穿氧化层钝化接触电池（Thin Oxide Passivated Contact），主要使用N型硅片为载体，在PERC电池的基础上于背面制备一层极薄的氧化硅层（1~2nm）即隧穿氧化层，然后再沉积一层磷掺杂的微晶非晶混合硅薄膜，混合硅薄膜在退火过程中结晶性发生变化，转变为多晶形成钝化接触结构。TOPCon电池的超薄氧化硅层利用量子隧穿效应，可允许多子隧穿而阻挡少子透过，在其上沉积一层金属作为电极就实现了无需开孔的钝化接触结构。不接触硅片就可以完成电流传输，从而降低了电池电极处复合而造成的效率损失，另外，掺杂的多晶硅层可以进一步降低表面复合造成的效率损失，从而提高电池效率。无需激光开孔，采用N型硅片无光致衰减，兼容中高温烧结。主要提升的钝化是背面钝化，背面采用1-2nm的高质量氧化硅层，结合掺杂非晶硅进行高温晶化退火从而实现全区域的钝化接触，采用高质量的超薄氧化硅和掺杂多晶硅层，实现全背面的高效钝化和载流子选择性收集。Topcon的核心结构是超薄的二氧化硅层，利用量子隧穿效应，既能让电子顺利通过，又可以阻止空穴的复合。
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