Y45铟晶体生长炉,利用石墨加热器和难轴拉轴(直拉法)。,专业越来越铟单晶硅半导体应用。
项目
规范
1
充电大小
5千克
2
炉腔大小
∮450 * 900MM
3
种子升降率
0.1-8mm/min
4
种子慢跑率
≥为300mm/min
5
种子旋转(可逆)
1-50RPM
6
种子总行程
600毫米
7
坩埚慢跑率
50mm/min的
8
坩埚旋转
9
总坩埚旅游
150毫米
10
最大加热功率
40KW
11
最大加热温度
800℃
12
电极距离/数量
∮350/2
13
最大在环境温度的真空。
6.7×10 -3