Y45铟晶体生长炉,利用石墨加热器和难轴拉轴(直拉法)。,专业越来越铟单晶硅半导体应用。
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项目
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规范
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1
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充电大小
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5千克
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2
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炉腔大小
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∮450 * 900MM
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3
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种子升降率
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0.1-8mm/min
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4
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种子慢跑率
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≥为300mm/min
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5
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种子旋转(可逆)
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1-50RPM
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6
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种子总行程
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600毫米
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7
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坩埚慢跑率
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50mm/min的
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8
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坩埚旋转
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1-50RPM
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9
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总坩埚旅游
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150毫米
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10
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最大加热功率
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40KW
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11
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最大加热温度
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800℃
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12
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电极距离/数量
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∮350/2
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13
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最大在环境温度的真空。
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6.7×10 -3
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