技术特点
•采用半导体端面泵浦光纤耦合全固态激光器,性能指标包括脉冲的稳定性、脉宽、峰值功率等参数均达到世界先进水平。
•膜面朝上非接触式工作台设计不但能有效的解决玻璃运行中的平稳性,还能解决玻璃摩擦问题。
•采用全自动控制,包括自动进出料、自动识别、自动跟踪、自动校正和自动定位。
•自动校正和自动定位,这在国际还是首创。当检测到电池片缺陷时,可立即进行重刻和补刻。
应用及市场
非晶硅薄膜太阳电池的透明导电膜(SnO2、AZO、ITO)、非晶硅膜系(a-Si、μc-Si)、背电极膜(ZnO、Al)等的激光刻膜(刻线、切割),其它薄膜电池的膜层刻膜(金属钼Mo薄膜、金属镍Ni薄膜、碲化镉CdTe薄膜)。
型号规格
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SEF-G5-P1
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激光波长
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1064nm
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有效加工幅面
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1.1m×1.4m(或635mm×1245mm )
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最大运行速度
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2000mm/s
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重复定位精度
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±10μm
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刻线直线度
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±10μm / 1000 mm
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典型刻膜线宽
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30~60μm
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三线外沿总宽度
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300~500μm
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