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少子寿命测试仪
(WCT-120)
美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪采用了准稳定态光电导(QSSPC)测量方法和分析技术。可灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应、表面复合效应等缺陷情况。WCT在效率大于20%的超高效太阳能电池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研发和生产过程中是一种被广泛选用的检测工具。这种QSSPC测量少子寿命的...
更新:2021-08-18
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硅棒少子寿命测试仪
(BLS)
BLS-I测量系统用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块 体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体 内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。
更新:2021-08-18
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少子寿命测量仪
(BCT-400)
基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备，具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命，并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值，可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量，并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。
更新:2021-08-18
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少子寿命测试仪
(Suns-Voc)
Suns-Voc测试仪:进行浆料与烧结技术优化，测试少子寿命，PN结的好坏，表面及体内的复合情况,材料质量、钝化效果等"
更新:2021-08-18
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